[发明专利]在硅外延薄膜形成时使用氯气和/或氯化氢有效
| 申请号： | 201110079467.6 | 申请日： | 2005-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102176411A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 叶志渊;金以宽;李小威;阿里·朱耶基;尼乔拉斯·C·达力鞑;唐金松;陈孝;艾卡迪·V·塞蒙洛夫 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在硅外延薄膜形成时使用氯气和/或氯化氢。在第一方面中，本发明提供一种在一基板上形成一外延薄膜的第一方法。该第一方法包含(a)提供一基板；(b)将该基板暴露在至少一硅来源中，以在该基板的至少一部分上形成一外延薄膜；以及(c)将该基板暴露在氯化氢气体和氯气中，以蚀刻该外延薄膜以及在步骤(b)期间形成的任何其它薄膜。本发明提供多种其它方面。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 薄膜 形成 使用 氯气 氯化氢 | ||
【主权项】：
一种在基板上形成外延薄膜的方法，包含：(a)提供一基板；(b)将该基板暴露在一硅来源和一碳来源中，以形成含碳硅外延薄膜；(c)使用封装薄膜封装该含硅外延薄膜；以及(d)将该基板暴露在氯气中以蚀刻该封装薄膜。
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