[发明专利]半导体结构及其制造方法与操作方法有效
| 申请号： | 201110081711.2 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102738141A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陈信良;陈永初;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/74;H01L21/8228 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法与操作方法。半导体结构包括第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、阳极与阴极。第二阱区邻近第一阱区。第一掺杂区位于第二阱区上。第二掺杂区位于第一阱区上。阳极耦接至第一掺杂区与第二阱区。阴极耦接至第一阱区与第二掺杂区。第一阱区与第一掺杂区具有第一导电型。第二阱区与第二掺杂区具有第二导电型。第二导电型相反于第一导电型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一阱区；一第二阱区，邻近该该第一阱区；一第一掺杂区，位于该第二阱区上；一第二掺杂区，位于该第一阱区；一阳极，耦接至该第一掺杂区与该第二阱区；及一阴极，耦接至该第一阱区与该第二掺杂区，其中，该第一阱区与该第一掺杂区具有一第一导电型，该第二阱区及该第二掺杂区具有一第二导电型，该第二导电型相反于相反该第一导电型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
