[发明专利]半导体器件和半导体器件组件

摘要

提供一种阻挡外部磁场的磁屏蔽效果优良的半导体器件和半导体器件组件。该半导体器件包括：层间绝缘膜，形成为覆盖半导体衬底的主表面之上形成的切换元件；平板状引出布线；耦合布线，将引出布线与切换元件相互耦合；以及磁阻元件，包括磁化定向可变的磁化自由层并且形成于引出布线之上。该半导体器件具有可以用来改变磁化自由层的磁化状态的布线和另一布线。在多个磁阻元件布置于其中的存储器单元区域中，布置于磁阻元件上方的第一高导磁率膜从存储器单元区域一直延伸到作为除了存储器单元区域之外的区域的外围区域。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；切换元件，形成于所述半导体衬底的主表面之上；层间绝缘膜，形成为覆盖所述切换元件；平板状引出布线，形成于所述层间绝缘膜之上；耦合布线，将所述引出布线与所述切换元件相互耦合；磁阻元件，包括磁化定向可变的磁化自由层，并且形成于所述引出布线之上；以及布线，定位于所述磁阻元件上方、向沿着所述主表面的方向延伸，并且能够改变所述磁化自由层的磁化状态，其中在多个所述磁阻元件布置于其中的存储器单元区域中，布置于所述磁阻元件上方的第一高导磁率膜从所述存储器单元区域延伸到作为除了所述存储器单元区域之外的区域的外围区域。