[发明专利]用于制造半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 201110082594.1 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102214594B | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·马祖拉;康斯坦丁·布德尔;理查德·费朗;比什-因·阮 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/324;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体衬底的方法，特别是用于制造绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供施主衬底和操作衬底；b)在操作衬底中、特别是在操作衬底内部形成一个或更多个掺杂区域的图案；以及c)特别地通过键合将施主衬底与操作衬底接合起来以获得施主-操作混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供施主衬底(205；305)和操作衬底(101；201；301；401)；b)在所述操作衬底(101；201；301；401)中形成一个或更多个掺杂区域(104a至104d；304a至304d；404a至404d)的图案；以及c)将所述施主衬底(205；305)与所述操作衬底(101；201；301；401)接合起来以获得施主‑操作混合物(308)，该方法还包括在步骤a)和步骤b)之间执行的步骤d)，该步骤d)在所述操作衬底(101；201；301；401)的内部且所述操作衬底(101；201；301；401)的表面下方形成一个或更多个对准标记(103a至103b；303a至303b；403a至403b)，其中，所述一个或更多个对准标记(103a至103b；303a至303b；403a至403b)在不改变所述操作衬底(101；201；301；401)的所述表面的情况下通过离子注入或聚焦激光熔化或聚焦离子束熔化形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
