[发明专利]在制造平面双极型晶体管中的间隔物形成有效
| 申请号： | 201110083001.3 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102214572A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·J·T·M·唐克斯;托尼·范胡克;汉斯·莫腾斯;菲利普·默尼耶-贝拉德 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73;H01L29/737;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造一种双极型晶体管，具有衬底(1)中的集电极(52)以及在所述衬底上形成的基极(57、58)和发射极(59)。所述基极具有基极堆叠区(57)，所述基极堆叠区通过电绝缘间隔物(71)与发射极(59)横向地隔开。所述绝缘间隔物(71)在其顶端的宽度尺寸至少与其底端的宽度尺寸一样大，并且形成Γ形或倾斜形状。这种轮廓减小了在后续工艺中间隔物顶部处的硅化物桥接的风险，同时保持了发射极窗口宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 平面 双极型 晶体管 中的 间隔 形成 | ||
【主权项】：
一种形成双极型晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底(1)中形成集电极区(2)；在所述衬底上形成包括基极堆叠区(57)的基极(57、58)和发射极区(59)；通过在所述基极堆叠区和所述发射极区之间形成电绝缘间隔物(71)，将所述基极堆叠区(57)和所述发射极区(58)彼此横向隔开；所述绝缘间隔物(71)顶端处的宽度尺寸至少与其底端处的宽度尺寸一样大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
