[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110083148.2 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102738351A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 林厚德;蔡明达 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，包括电极、发光二极管芯片以及绝缘层，所述电极包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极相互间隔设置，所述发光二极管芯片与电极电性连接，所述绝缘层覆盖该电极和发光二极管芯片，所述第一电极上设有凹槽，所述发光二极管芯片容置于该凹槽中，所述第一电极和第二电极相互间隔处形成通道，该通道与该凹槽连通，所述绝缘层经由该通道填充于凹槽中。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，包括电极、发光二极管芯片以及绝缘层，所述电极包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极相互间隔设置，所述发光二极管芯片与电极电性连接，所述绝缘层覆盖该电极和发光二极管芯片，其特征在于：所述第一电极上设有凹槽，所述发光二极管芯片容置于该凹槽中，所述第一电极和第二电极相互间隔处形成通道，该通道与该凹槽连通，所述绝缘层经由该通道填充于凹槽中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110083148.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种生产透明质酸用的干燥装置
- 下一篇：陶瓷坯体的微波干燥设备
