[发明专利]具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110083231.X | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102176433A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 水泽爱子;冈田修;若林猛 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31;H01L23/525;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括半导体衬底和设置于半导体衬底上除其外围部分之外的区域中的低介电性膜布线线路层压结构部分。每个层压结构部分具有低介电性膜和多个布线线路的层压结构。在层压结构部分的上侧上设置绝缘膜。在绝缘膜上设置用于电极的连接焊盘部分，其待电连接到层压结构部分的最上层布线线路的连接焊盘部分。在用于电极的连接焊盘部分上设置用于外部连接的凸块电极。在绝缘膜上以及半导体衬底的外围部分上设置密封膜。层压结构部分的侧表面被绝缘膜或密封膜覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低介电性 绝缘 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；低介电性膜布线线路层压结构部分，该低介电性膜布线线路层压结构部分设置于所述半导体衬底的上表面上除其外围部分之外的区域中，并且该低介电性膜布线线路层压结构部分包括多个低介电性膜和多个布线线路的层压结构，所述多个布线线路包括具有多个连接焊盘部分的多个最上层布线线路；设置于所述低介电性膜布线线路层压结构部分的上表面上的绝缘层；多个用于电极的连接焊盘部分，设置于所述绝缘层的上表面上，以电连接到所述低介电性膜布线线路层压结构部分的所述最上层布线线路的所述连接焊盘部分；设置于用于电极的所述连接焊盘部分的上表面上的、用于外部连接的多个凸块电极；以及设置于所述绝缘层的上表面以及所述凸块电极的侧表面上的密封膜，其中所述低介电性膜布线线路层压结构部分的侧表面以及所述半导体衬底的所述外围部分的上表面被所述密封膜覆盖。
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