[发明专利]一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法

摘要

一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法，按照质量百分含量配比如下：氢氧化钠20~40%、氟化钠4~6%和次氯酸钠0.3~0.7%，水50~70%制作腐蚀液，控制腐蚀温度为50~70℃，硅芯在液体中浸泡时间为3~5分钟，然后用纯水漂洗5~7遍，再用纯水煮沸3~5分钟，放入烘箱80~100℃烘干即可，采用了一种新的对多晶硅硅芯进行腐蚀处理，所得硅芯的比较面积达到40~80m－1，大大高于混酸腐蚀的比表面积，本发明取代传统使用的氢氟酸和硝酸混酸腐蚀液，提供了一个安全无污染、高效低成本的硅芯腐蚀新工艺；具有环境污染小、腐蚀成本低、人身无伤害及腐蚀效果好的特点。

主权项

一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法，其特征在于：①将氢氧化钠20~40%、氟化钠4~6%、次氯酸钠0.3~0.7%和水50~70%常温充分溶解制成腐蚀液，其中比例为质量百分比；②将腐蚀液倒入腐蚀槽内，加热至50~70℃，放入硅芯，保持温度下腐蚀3~5分钟；③取出硅芯，放入超纯水清洗槽内清洗5~7遍；④取出清洗槽内的硅芯放入超纯水加热槽内，升高温度至水沸腾，保持沸腾状态煮3~5分钟；⑤从加热槽内取出硅芯，放入烘箱内，保持温度80~90℃，烘干1~2小时后降温至室温取出即可。