[发明专利]发光二极管透明导电层的图案化方法无效
| 申请号： | 201110084842.6 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102646762A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 杨侍蒲;朱瑞溢;郭奇文;黄坤富;陈俊荣;方国龙 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管透明导电层的图案化方法，包括以下步骤：提供一基板；形成一N型半导体层于基板之上；形成一主动层于N型半导体层之上；形成一P型半导体层于该主动层之上；形成一透明导电层于P型半导体层之上；设置一光罩于透明导电层之上；以及激光剥除(laserablating)部分透明导电层，形成一图案化或表面粗化的透明导电层。本发明提供的方法由于光罩不直接接触透明导电层，因此，可延长光罩的使用寿命，节省光罩的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 透明 导电 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管透明导电层的图案化方法，包括以下步骤：提供一基板；形成一N型半导体层于该基板之上；形成一主动层于该N型半导体层之上；形成一P型半导体层于该主动层之上；形成一透明导电层于该P型半导体层之上；设置一光罩于该透明导电层之上；以及激光剥除部分该透明导电层，形成一图案化或表面粗化的透明导电层。
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