[发明专利]非水电解质二次电池用负极材料及其制造方法以及锂离子二次电池有效
| 申请号： | 201110085975.5 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102214823A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 川田敦雄 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M10/0525;H01M4/139 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 菅兴成;吴小瑛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种首次效率和循环耐久性优于先前的硅氧化物系非水电解质二次电池用负极材料。一种非水电解质二次电池用负极材料，是使用非水电解质的二次电池用负极材料，其特征在于：至少包括硅-硅氧化物系复合体以及覆盖于此硅-硅氧化物系复合体表面的碳覆膜，至少所述硅-硅氧化物系复合体中掺杂有锂，并且在Cu-Kα线的X射线衍射中归属于2θ＝35.8±0.2°的SiC的峰强度I(SiC)与归属于2θ＝28.4±0.2°的Si的峰强度I(Si)的比I(SiC)/I(Si)，满足I(SiC)/I(Si)≤0.03的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 水电 二次 电池 负极 材料 及其 制造 方法 以及 锂离子 | ||
【主权项】：
一种非水电解质二次电池用负极材料，是使用非水电解质的二次电池用负极材料，其特征在于，至少包括硅‑硅氧化物系复合体以及覆盖于该硅‑硅氧化物系复合体表面的碳覆膜，至少所述硅‑硅氧化物系复合体中掺杂有锂，并且在Cu‑K α线的X射线衍射中归属于2θ＝35.8±0.2°的SiC的峰强度I(SiC)与归属于2θ＝28.4±0.2°的Si的峰强度I(Si)的比I(SiC)/I(Si)，满足I(SiC)/I(Si)≤0.03的关系。
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