[发明专利]沟槽隔离结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种沟槽隔离结构的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，其上依次形成有与之类型相反的埋层和第一外延层；在第一外延层上形成掩模层，作为刻蚀沟槽的硬掩模；在掩模层上旋涂光刻胶、光刻并显影，露出需要刻蚀沟槽的位置；依次刻蚀掩模层、第一外延层、埋层和半导体衬底，形成隔离沟槽，沟槽一直延伸到半导体衬底中；对晶圆进行热处理，修复之前在沟槽刻蚀过程中引入的晶体缺陷；湿法去除上述热处理过程中在沟槽内生长的氧化层；在沟槽内淀积第二外延层，其与半导体衬底的类型相同，完全填充沟槽后与半导体衬底相连接。相应地，本发明还提供一种沟槽隔离结构。本发明利用较小的芯片横向尺寸，完成不同工作电压的器件之间的电学隔离。

主权项

一种沟槽隔离结构的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，其上依次形成有与所述半导体衬底类型相反的埋层和第一外延层；在所述第一外延层上形成一定厚度的掩模层，作为刻蚀沟槽的硬掩模；在所述掩模层上旋涂光刻胶、光刻并显影，露出需要刻蚀沟槽的位置；依次刻蚀所述掩模层、第一外延层、埋层和半导体衬底，形成隔离沟槽，所述沟槽一直延伸到所述半导体衬底中；对整个晶圆进行热处理，修复之前在沟槽刻蚀过程中引入的晶体缺陷；用湿法刻蚀法去除上述热处理过程中在所述沟槽内生长的氧化层；在所述沟槽内淀积第二外延层，其与所述半导体衬底的类型相同，所述第二外延层完全填充所述沟槽后与所述半导体衬底相连接。