[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110087535.3 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102738209A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 杨怡箴;张耀文;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件，包括具有第一导电型的第一掺杂区、具有第二导电型的第二掺杂区、栅极以及介电层。第一掺杂区位于基底中，且第一掺杂区中具有沟渠。第二掺杂区位于沟渠底部，第一掺杂区被分隔，形成分离的两个源极或漏极掺杂区，源极掺杂区与漏极掺杂区之间为通道区。栅极位于沟渠之中。介电层覆盖沟渠的侧壁与底部表面，分隔栅极与基底。藉此本发明的半导体元件可以避免短通道效应的产生而且可以降低源极以及漏极掺杂区的阻值。同时本发明还提供了一种半导体元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于其包括：具有第一导电型的一第一掺杂区位于一基底中，该第一掺杂区中具有一沟渠；具有第二导电型的一第二掺杂区，位于该沟渠底部，将该第一掺杂区分隔成分离的一源极掺杂区与一漏极掺杂区，该源极掺杂区与该漏极掺杂区之间为一通道区；一栅极，位于该沟渠之中；以及一介电层，位于该栅极与该沟渠的该基底之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110087535.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
