[发明专利]一种上电复位电路有效
| 申请号： | 201110090370.5 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102270979A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张敏;郑灼荣 | 申请（专利权）人： | 建荣集成电路科技（珠海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人： | 王贤义 |
| 地址： | 519015 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种针对多电压源的集成电路提供上电复位功能的上电复位电路。该上电复位电路包括分压电路部分和监测电路部分，分压电路包括：第一NMOS晶体管，它的栅极电压由低电压源VDD_L控制；电阻，连接第一NMOS晶体管的源极和电源VSS；一个或多个串联二极管，连接高电压源VDD_H和第一NMOS晶体管的漏极。监测电路包括：第一PMOS晶体管，它的源极连接到低电压源VDD_L上；第二PMOS晶体管，它的源极连接到第一PMOS晶体管的漏极；第二NMOS晶体管，它连接第二PMOS晶体管的漏极和电源VSS，第二NMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS晶体管的栅极共同连接到第一NMOS晶体管的源极；反相器，它的输入端连接到第二PMOS晶体管的漏极或第二NMOS晶体管的漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复位 电路 | ||
【主权项】：
一种上电复位电路，其特征在于，包括两部分电路： 第一部分电路包括： 第一NMOS晶体管，它的栅极电压由低电压源VDD_L控制； 电阻，连接第一NMOS晶体管的源极和电源VSS，其中VDD_L≥VSS； 一个或多个串联二极管，连接高电压源VDD_H和第一NMOS晶体管的漏极，其中VDD_H≥VDD_L； 第二部分电路包括： 第一PMOS晶体管，它的源极连接到低电压源VDD_L上； 第二PMOS晶体管，它的源极连接到第一PMOS晶体管的漏极； 第二NMOS晶体管，它连接第二PMOS晶体管的漏极和电源VSS，第二NMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS晶体管的栅极共同连接到第一NMOS晶体管的源极； 反相器，它的输入端连接到第二PMOS晶体管的漏极或第二NMOS晶体管的漏极，同时反相器形成一个输出信号RSTB,用来响应高电压源VDD_H和低电压源VDD_L的开启和关闭。
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