[发明专利]半导体磊晶结构及制造方法无效
| 申请号： | 201110091503.0 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102738327A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 黄嘉宏;黄世晟;凃博闵;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体磊晶结构，包括依次形成在基板上的第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层。该第一型半导体层具有一个与活性层接触的上表面，该上表面的表面粗糙度小于或者等于0.005微米。本发明还涉及一种半导体磊晶结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体磊晶结构，包括依次形成在基板上的第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层，其特征在于，该第一型半导体层具有与活性层接触的上表面，该上表面的表面粗糙度小于或者等于0.005微米。
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