[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201110092828.0 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102214752A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李善浩;李祥炫;尹浩相;丁钟弼 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在此公开一种发光器件。发光器件包括：支撑构件；和在支撑构件上并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及插入在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层的发光结构，并且有源层包括至少一个量子阱层和至少一个阻挡层、位于第一导电半导体层和至少一个量子阱层中离第一导电半导体层最近的第一量子阱层之间的至少一个势垒层；以及形成在至少一个势垒层和第一量子阱层之间并且具有不同于至少一个阻挡层的厚度的厚度的未掺杂的阻挡层。因此，通过电流的有效扩散提高发光器件的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：支撑构件；和发光结构，所述发光结构在所述支撑构件上并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及插入在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，其中所述有源层包括：至少一个量子阱层和至少一个阻挡层；至少一个势垒层，所述至少一个势垒层位于所述第一导电半导体层和所述至少一个量子阱层中离所述第一导电半导体层最近的第一量子阱层之间；以及未掺杂的阻挡层，所述未掺杂的阻挡层形成在所述至少一个势垒层和所述第一量子阱层之间并且具有不同于所述至少一个阻挡层的厚度的厚度。
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