[发明专利]一种湿化学法制备CuInS2薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110094169.4 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102229470A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;黄灿领;胡彬彬;张兴堂 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C03C17/36 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 刘建芳 |
| 地址： | 47500*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种湿化学法制备CuInS2薄膜的方法，该方法为：在含有铟、硫离子的溶液a中利用湿化学法在基底上沉积成膜；然后将膜放在含有铜、硫离子的溶液b中沉积得到预制复合薄膜；再将预制复合薄膜放在有固态硫源的真空、氮气或氩气气氛下进行退火处理后得到铜铟硫薄膜，其中沉积过程在常温常压条件下进行。该方法工艺简单，成本低廉，原料利用率高，可重复性好，易于实现大面积连续生产，制得的薄膜具有良好的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 法制 cuins sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种湿化学法制备CuInS2薄膜的方法，其特征在于：在含有铟、硫离子的溶液a中利用湿化学法在基底上沉积成膜；然后将膜放在含有铜、硫离子的溶液b中沉积得到预制复合薄膜；再将预制复合薄膜放在有固态硫源的真空、氮气或氩气气氛下进行退火处理，最终生成铜铟硫薄膜，其中沉积过程在常温常压条件下进行。
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