[发明专利]金属铜与镍硅化合物的的叠层接触结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110096681.2 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102184912A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 蒋玉龙;于浩;谢琦;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种提升铜与镍硅化合物直接接触热稳定性的叠层接触结构。因为铜的导电性比钨好，因此在集成电路芯片第一层互连线与晶体管源、漏、栅极所用的镍硅化合物电极间可以利用铜塞替代传统钨塞。本发明具体采用铜/钽/氮化钽/钽/镍硅化合物，或者铜/氮化钽/钽/镍硅化合物的接触结构。实验证实，钽与镍硅化合物的直接接触可以很好地提升镍硅化合物的热稳定性，而氮化钽可以有效地阻止铜的扩散，故而该叠层结构可以很好地提高铜与镍硅化合物接触的热稳定性，进而提高器件可靠性，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 化合物 接触 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属铜与镍硅化合物的叠层接触结结构，其特征在于包括下述第一、第二层薄膜依次迭合的两层薄膜结构，或者下述第一、第二、第三层薄膜依次迭合的三层薄膜结构；其中，第一层薄膜采用钽（Ta）材料，第二层薄膜采用氮化钽（TaN）材料，是铜（Cu）的扩散阻挡层，第三层采用钽（Ta）材料；第一层的钽材料与镍硅化合物以及介质层直接接触；该叠层触结结构记为或者Cu/TaN/Ta/NiSi或者Cu/Ta/TaN/Ta/NiSi。
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