[发明专利]互连结构形成方法有效
| 申请号： | 201110097045.1 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102751233A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有阻挡层、低介电常数层间介质层、覆盖介质层；依次刻蚀所述覆盖介质层、低介电常数层间介质层，直至暴露所述阻挡层，形成沟槽；去除所述覆盖介质层，直至暴露所述低介电常数层间介质层；向所述低介电常数层间介质层掺入碳元素。利用本发明的实施例所提供的互连结构形成方法可以避免低介电常数层间介质层的介电常数值降低，从而避免了因为电阻电容延迟过大而造成半导体器件性能下降。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有阻挡层、低介电常数层间介质层、覆盖介质层；依次刻蚀所述覆盖介质层、低介电常数层间介质层，直至暴露所述阻挡层，形成沟槽；去除所述覆盖介质层，直至暴露所述低介电常数层间介质层；向所述低介电常数层间介质层掺入碳元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
