[发明专利]一种沟槽MOS结构半导体装置及其制备方法无效
| 申请号： | 201110098224.7 | 申请日： | 2011-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102751314A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市下*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽MOS结构半导体装置，沟槽内壁生长有栅氧，沟槽内填充有栅极介子；沟槽之间半导体材料整个上部设置有第一导电半导体材料体区；在第一导电半导体材料体区下部为第二导电半导体材料漏区；沟槽边侧体区内上部设置有第二导电半导体材料源区；在沟槽边侧体区内，源区下部漏区上部设置有第二导电半导体材料无源区；本发明还提供一种沟槽MOS结构半导体装置的制备方法，应用本发明的半导体装置的制备方法制造超级势垒整流器，可以优化器件的电参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 结构 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽MOS结构半导体装置，包括：沟槽内壁生长有钝化层，沟槽内填充有栅极介子；沟槽之间半导体材料整个上部设置有第一导电类型半导体材料体区；在第一导电类型半导体材料体区下部为第二导电类型半导体材料漏区；沟槽边侧体区内上部设置有第二导电类型半导体材料源区；在沟槽边侧体区内，源区下部漏区上部设置有第二导电类型半导体材料无源区。
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