[发明专利]一种用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法

摘要

本发明公开一种用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，在一半导体器件所包含的NMOS晶体管栅电极外及其器件离子注入区域上覆盖一层第一应力膜，在半导体器件所包含的PMOS晶体管栅电极外及其器件离子注入区域上覆盖一层第二应力膜，在覆盖重叠区域的绝缘氧化层薄膜进行刻蚀，形成第一类通孔，在覆盖第一应力膜、第二应力膜的绝缘氧化层薄膜上进行刻蚀，形成第二类通孔。本发明通过将双刻蚀阻挡层两层薄膜交界重叠区域的接触孔刻蚀与单一层刻蚀阻挡层薄膜区域的接触孔刻蚀分离单独操作，避免不同区域的刻蚀差异问题，同时，防止了双刻蚀阻挡层两层薄膜在交界区域重叠极易导致后续接触孔刻蚀不通的问题。

主权项

一种用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法，其特征在于，在一半导体器件所包含的NMOS晶体管栅电极外、侧墙隔离层之上及其器件离子注入区域上覆盖一层第一应力膜，在半导体器件所包含的PMOS晶体管栅电极外、侧墙隔离层之上及其器件离子注入区域上覆盖一层第二应力膜，其中所述第一应力膜和所述第二应力膜有交界的重叠区域；在覆盖重叠区域的绝缘氧化层薄膜及所述重叠区域进行刻蚀，形成贯穿绝缘氧化层薄膜及重叠区域的第一类通孔；之后，刻蚀覆盖PMOS器件、NMOS器件有源区之上的第一应力膜、第二应力膜及绝缘氧化层薄膜，并同时蚀刻覆盖NMOS晶体管栅电极的第一应力膜和覆盖PMOS晶体管栅电极的第二应力膜及绝缘氧化层薄膜，形成分别接触NMOS晶体管栅电极、PMOS晶体管栅电极、PMOS器件有源区、NMOS器件有源区第二类通孔。