[发明专利]一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法

摘要

一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法，属于光电子信息功能材料领域，涉及一种掺杂ZnO纳米材料的制备技术。本发明采用化学气相沉积的方法，通过Sn的催化，在镀有金膜的硅片上获得大量Ga掺杂ZnO纳米线，纳米线的直径约25~90nm，长度为10~20μm。Ga的掺杂含量为0.5~15at.％，Sn的含量为0.5~6at.%。本发明通过控制Sn的含量，在有效改善ZnO形貌的同时，又保证了Ga掺杂ZnO纳米线的发光性能，扩大了ZnO原有领域的应用范围；由于采用的气流量比较小，生长时间相对比较短，其操作简单，成本低，效率高，并且对环境无污染。

主权项

一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法，其特征在于，制备步骤如下：1）将Ga液滴放在氧化铝舟中，然后将ZnO粉和Sn粉按重量比10:2~10:3均匀混合后平铺在Ga源上面，将其覆盖住，将清洗后的镀有一层金膜的硅片镀金面朝下置于蒸发源正上方，硅片距离蒸发源的垂直距离约为5~6 mm；2）将装有蒸发源和硅片的氧化铝舟推入管式炉中，然后在管式炉中充入200~300 ml/min的氩气，时间为5~10 min；3）将炉温升至880~920℃后保温10~15 min，然后管式炉自然冷却至室温，期间充入流量为100~120 ml/min的氩气，取出硅片，硅片表面沉积有Ga掺杂ZnO纳米线。