[发明专利]一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法有效
| 申请号： | 201110101584.8 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102751094A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 赵宁;王惠娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/002;H01G4/08;H01G4/005 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子器件以及系统级封装集成技术领域，具体涉及一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容。所述铁电薄膜电容包括：下部电极；设置于所述下部电极上的硅基底；设置于所述硅基底上的铁电薄膜电介质层；设置于所述铁电薄膜电介质层上的上部电极；所述下部电极与所述硅基底之间形成欧姆接触。本发明还提供一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法。本发明在硅基底上形成铁电薄膜电介质层，具有较高的介电常数及较低的厚度，从而获得较大的电容密度，可实现分立式埋入电容；此外，本发明在下部电极和硅基底之间形成欧姆接触，便于电极的引出和连接，提高了同电路板工艺的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 欧姆 接触 薄膜 电容 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容，其特征在于，所述铁电薄膜电容包括：下部电极；设置于所述下部电极上的硅基底；设置于所述硅基底上的铁电薄膜电介质层；设置于所述铁电薄膜电介质层上的上部电极；所述下部电极与所述硅基底之间形成欧姆接触。
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