[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器有效
申请号: | 201110102234.3 | 申请日: | 2011-04-22 |
公开(公告)号: | CN102468308A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 张锋;崔承镇;惠官宝;戴天明;姚琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器,该阵列基板的制造方法包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤,所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线、像素电极和公共电极,所述阵列基板上的公共电极之间通过公共电极连接线连通,其中,所述公共电极连接线与所述像素电极之间还包括阻断块和阻断沟槽,形成所述阻断块和阻断沟槽的步骤具体包括:在形成栅线、公共电极、栅电极和绝缘层的衬底基板上,通过构图工艺形成包括阻断块的图案;在形成上述图案的衬底基板上,通过构图工艺形成包括阻断沟槽的图案。本发明可以解决像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路的问题,提高良品率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 液晶显示器 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤,所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线、像素电极和公共电极,所述阵列基板上的公共电极之间通过公共电极连接线连通,其特征在于,所述公共电极连接线与所述像素电极之间还包括阻断块和阻断沟槽,形成所述阻断块和阻断沟槽的步骤具体包括:在形成栅线、公共电极、栅电极和绝缘层的衬底基板上,通过构图工艺形成包括阻断块的图案,所述阻断块位于所述公共电极连接线与所述像素电极的图案对应的位置之间;在形成上述图案的衬底基板上,通过构图工艺形成包括阻断沟槽的图案,所述阻断沟槽位于所述公共电极连接线与所述像素电极的图案对应的位置之间,所述阻断沟槽将所述阻断块的第二部分与所述绝缘层断开,所述阻断块的第一部分与所述绝缘层接触,所述阻断块的第二部分悬空。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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