[发明专利]一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法

摘要

一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法，涉及半导体材料中应变增强晶体管结构及制作方法，特别是DRAM存储单元的结构及制作方法。本发明提供的DRAM存储单元包含有开关MOS晶体管9和单元电容10，其特征在于在单元电容10所在区域引入应变氮化硅盖帽层8，以减小单元电容下极板4和上极板7半导体材料的禁带宽度，增大其电荷密度，减小单元电容两极板间的等效间距，从而增大单元电容的电容值；在保证电容值一定的条件下，存储单元的占用面积减小，增大DRAM存储容量，并提升其存取信息的准确度。

主权项

一种应变动态随机存储器存储单元，包含由半导体衬底(11)，浅槽隔离区(5)，由开关MOS管的源(2)、开关MOS管的漏(3)、开关MOS管的栅介质层(15)和栅(6)组成的开关MOS管(9)和由存储单元电容的下极板(4)、存储单元电容的上极板(7)和绝缘介质层(16)组成的单元电容(10)，其特征是在制作单元电容(10)的过程中，在单元电容(10)的下极板(4)和上极板(7)中引入应变技术，在单元电容(10)所在区域引入了应力。