[发明专利]半导体结构及形成方法、PMOS晶体管及形成方法有效
| 申请号： | 201110102990.6 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102184847B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及形成方法、PMOS晶体管及形成方法。其中半导体结构的形成方法，包括如下步骤提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底依次包括硅基底、绝缘埋层和顶层硅；刻蚀所述顶层硅至露出绝缘埋层，形成有源区；在有源区的顶层硅侧壁及顶部形成绝缘氧化层；进行热氧化处理，使顶层硅向上弯曲。本发明还提供了半导体结构以及在所述半导体结构形成PMOS晶体管结构以及形成方法。本发明旨在对PMOS管器件区域内的顶层硅进行热氧化处理，使得顶层硅边缘向上弯曲，从而增强了顶层硅的压缩应力，提高了后续制作PMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 pmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底依次包括硅基底、绝缘埋层和顶层硅；刻蚀所述顶层硅至露出绝缘埋层，形成有源区；采用快速热氧化处理工艺在有源区的顶层硅侧壁及顶部形成绝缘氧化层；进行热氧化处理，并在所述绝缘氧化层的压力作用下，使顶层硅边缘向上弯曲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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