[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 201110104317.6 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102760652A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 蒋葳;于伟泽;张亚楼;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成非晶态的伪栅极；使用TMAH湿法移除所述伪栅极，以形成栅极开口；在所述栅极开口中形成高k栅介质层和金属栅极层。通过将传统多晶硅的伪栅极替换为非晶态的伪栅极，使得TMAH在湿法刻蚀时不再因为晶向不同而刻蚀速率不等，TMAH湿法刻蚀非晶硅得到的沟槽表面是平整的，各个区域刻蚀速率相同，避免了伪栅极过刻蚀或刻蚀不完全而使得器件可靠性降低甚至是器件失效，最终提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成非晶态的伪栅极；使用TMAH湿法移除所述伪栅极，以形成栅极开口；在所述栅极开口中形成高k栅介质层和金属栅极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
