[发明专利]发光二极管封装件、照明装置和制造该封装件的方法无效

专利信息
申请号: 201110105659.X 申请日: 2011-04-15
公开(公告)号: CN102222757A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 金奎相;金镇夏;郑宰有;朴武允;全忠培 申请(专利权)人: 三星LED株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/60;H01L33/00;H01L25/075
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了一种发光二极管(LED)封装件、一种包括该LED封装件的照明装置和一种用于制造LED封装件的方法。所述LED封装件包括:封装基底;LED芯片,安装在所述封装基底上;波长转换层,当从上面观看LED芯片时由所述LED芯片形成的表面被定义为所述LED芯片的上表面时,所述波长转换层被形成为覆盖所述LED芯片的所述上表面的至少一部分,其中,所述波长转换层被形成为没有超出所述LED芯片的所述上表面的区域,并包括与所述LED芯片的所述上表面平行的平坦表面和连接所述LED芯片的所述上表面的边缘的弯曲表面。
搜索关键词: 发光二极管 封装 照明 装置 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:封装基底;发光二极管芯片,安装在所述封装基底上;波长转换层,当从上面观看所述发光二极管芯片时由所述发光二极管芯片形成的表面被定义为所述发光二极管芯片的上表面时,所述波长转换层被形成为覆盖所述发光二极管芯片的所述上表面的至少一部分,其中,所述波长转换层被形成为不超出所述发光二极管芯片的所述上表面的区域,且所述波长转换层包括与所述发光二极管芯片的所述上表面平行的平坦表面和连接所述发光二极管芯片的所述上表面的边缘的弯曲表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星LED株式会社,未经三星LED株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110105659.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top