[发明专利]半导体器件、形成互连结构的方法有效
| 申请号： | 201110107566.0 | 申请日： | 2011-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102760686A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;洪中山;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 半导体器件、形成互连结构的方法，形成互连结构的方法包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上形成牺牲层；利用压印模具拓印所述牺牲层，在所述牺牲层上形成凸棱，所述凸棱具有顶面和两侧壁；在所述凸棱顶面、侧壁的预定位置以及相邻的凸棱之间形成碳单原子层，作为互连结构；形成粘附层，覆盖所述碳单原子层；去除所述牺牲层；将所述粘附层、碳单原子层转移至第二衬底上，所述第二衬底为半导体衬底，其中形成有器件结构，碳单原子层与所述器件结构电连接。利用碳单原子层的高导电性，本发明形成了由碳单原子层组成的互连结构，可以降低RC延迟，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成互连结构的方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上形成牺牲层；利用压印模具拓印所述牺牲层，在所述牺牲层上形成凸棱，所述凸棱具有顶面和两侧壁；在所述凸棱顶面、侧壁的预定位置以及相邻的凸棱之间形成碳单原子层，作为互连结构；形成粘附层，覆盖所述碳单原子层；去除所述牺牲层；将所述粘附层、碳单原子层转移至第二衬底上，所述第二衬底为半导体衬底，其中形成有器件结构，所述碳单原子层与所述器件结构电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
