[发明专利]移位缓存器电路的布局结构无效
| 申请号： | 201110111239.2 | 申请日： | 2011-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102184703A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 陈盈真;李豪捷;张竣桓;刘俊欣;陈婉蓉 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/20 | 分类号： | G09G3/20;G09G3/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种移位缓存器电路的布局结构，包括第一移位缓存器以及与第一移位缓存器相邻设置的第二移位缓存器。其中，第一移位缓存器与第二移位缓存器皆接收第一信号与第二信号，第二信号与第一信号互为反相。再者，第一移位缓存器与第二移位缓存器共享信号走线以接收第一信号，且共享的信号走线延伸入第一移位缓存器与第二移位缓存器之间。 | ||
| 搜索关键词： | 移位 缓存 电路 布局 结构 | ||
【主权项】：
一种移位缓存器电路的布局结构，包括：一第一移位缓存器，接收一第一信号与一第二信号，该第二信号与该第一信号互为反相；以及一第二移位缓存器，接收该第一信号与该第二信号，且与该第一移位缓存器相邻设置；其中，该第一移位缓存器与该第二移位缓存器共享一第一信号走线以接收该第一信号，且该第一信号走线延伸入该第一移位缓存器与该第二移位缓存器之间。
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