[发明专利]嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201110112309.6 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102760765A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;赵超;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法，所述嵌入式源/漏MOS晶体管包括：半导体衬底；栅极结构，位于所述半导体衬底上；堆叠源/漏，嵌于所述栅极结构两侧的半导体衬底内且暴露所述堆叠源/漏的上表面，所述堆叠源/漏包括介质层和位于所述介质层之上的半导体层。本发明能够隔断源区和漏区至半导体衬底的漏电流通路，有利于减小源区和漏区至半导体衬底的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 mos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式源/漏MOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；栅极结构，位于所述半导体衬底上；堆叠源/漏，嵌于所述栅极结构两侧的半导体衬底内且暴露所述堆叠源/漏的上表面，所述堆叠源/漏包括介质层和位于所述介质层之上的半导体层。
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