[发明专利]高压功率集成电路隔离结构无效
| 申请号： | 201110112647.X | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102169890A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 张世峰;韩雁;胡佳贤;张斌 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/092 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压功率集成电路隔离结构，包括P型衬底，所述P型衬底上方设有埋氧层，埋氧层上方设有由2m+1个P型硅岛和2m个N型硅岛相互间隔排列构成的顶层硅膜，位于最中心的P型硅岛顶部设有重掺杂P+区，重掺杂P+区两侧的顶层硅膜表面覆有场氧层，其中m为整数。本发明隔离结构易于工艺实现，制造成本低，且消除了衬底对器件的影响，有效地提高了电路发生闩锁效应的难度，大大提高了电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 功率 集成电路 隔离 结构 | ||
【主权项】：
一种高压功率集成电路隔离结构，包括P型衬底，其特征在于，所述P型衬底上方设有埋氧层，埋氧层上方设有由2m+1个P型硅岛和2m个N型硅岛相互间隔排列构成的顶层硅膜，其中一个P型硅岛顶部设有重掺杂P+区，重掺杂P+区两侧的顶层硅膜表面覆有场氧层，其中m为整数。
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