[发明专利]具有电子熔丝结构的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110113379.3 | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102237337A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 金德起 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/06;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有电子熔丝结构的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：电子熔丝栅极；浮置图案，在电子熔丝栅极与电子熔丝有源部分之间；阻挡电介质图案，在浮置图案与电子熔丝栅极之间；以及电子熔丝电介质层，在浮置图案与电子熔丝有源部分之间。浮置图案包括在电子熔丝栅极与电子熔丝有源部分之间的第一部分和从第一部分的两边缘沿电子熔丝栅极的侧壁向上延伸的一对第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电子 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：电子熔丝栅极，横跨衬底的电子熔丝有源部分；浮置图案，包括在所述电子熔丝栅极与所述电子熔丝有源部分之间的第一部分和沿所述电子熔丝栅极的侧壁向上延伸的一对第二部分；阻挡电介质图案，在所述浮置图案与所述电子熔丝栅极之间；以及电子熔丝电介质层，在所述浮置图案与所述电子熔丝有源部分之间。
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