[发明专利]半导体器件及半导体存储装置有效
| 申请号： | 201110114256.1 | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102768850A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;童小东;钟汇才;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及半导体存储装置。该半导体器件可以用作存储单元，且包括：依次设置的第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层和第二N型半导体层。可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加大于穿通电压VBO的正向偏置，在该器件中存储第一数据状态。也可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加处于该半导体器件的反向击穿区的反向偏置，在该器件中存储第二数据状态。因此，可以有效地将该半导体器件用于存储数据。该半导体存储装置包括由上述半导体器件构成的存储单元的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种用作存储单元的半导体器件，包括：依次设置的第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层和第二N型半导体层。
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