[发明专利]锂离子电池锡钛薄膜负极的磁控溅射制备方法无效
| 申请号： | 201110114606.4 | 申请日： | 2011-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102212789A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李晶泽;霍文培;刘凯;王毅;周爱军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;H01M4/1395 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于化学电源领域，具体涉及锂离子电池用锡钛薄膜负极的磁控溅射制备方法。其特征在于，使用纯锡和纯钛两个靶交替溅射或者共溅射制备锡钛薄膜，然后在室温至300℃间保持0-6h退火处理。在两靶交替溅射方法中，交替次数大于1时，根据首先溅射的物质，可以形成Sn/Ti或Ti/Sn叠层膜。本发明所公开的方法工艺简单，成本低，有利于环保；所制备的薄膜用作锂离子电池负极，具有较高的比容量和优异的循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 锂离子电池 薄膜 负极 磁控溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
用作锂离子电池负极的锡钛薄膜的磁控溅射制备方法，其特征在于，使用纯锡和纯钛两个靶交替溅射或者共溅射制备锡钛薄膜，然后在室温至300℃间保持0‑6h退火处理。
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