[发明专利]监测结合表面反弹的设备和方法、线结合设备及记录介质无效
| 申请号： | 201110116451.8 | 申请日： | 2011-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102237263A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 金寿成 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/60;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于监测结合表面反弹的设备和方法、一种线结合设备以及一种记录介质。根据本发明的一方面，所述用于监测结合表面反弹的设备包括：传感器，在结合期间实时地测量毛细管高度；反弹检测器，从在结合执行周期期间实时地测量的毛细管高度获取毛细管高度的变化率，并且通过将获取的变化率与设定的参考变化率比较来检测是否存在结合表面反弹。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 结合 表面 反弹 设备 方法 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种用于监测结合表面反弹的设备，所述设备包括：传感器，在结合期间实时地测量毛细管高度；反弹检测器，从在结合执行周期期间实时地测量的毛细管高度获取毛细管高度的变化率，并且通过将获取的变化率与设定的参考变化率比较来检测是否存在结合表面反弹。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
