[发明专利]用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110118009.9 申请日: 2011-05-08
公开(公告)号: CN102225837A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: 方清 申请(专利权)人: 江苏润弛太阳能材料科技有限公司
主分类号: C03B20/00 分类号: C03B20/00
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 徐冬涛
地址: 212218 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法,其先将高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒,将料浆充分搅拌后,再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀,然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型,脱模;脱模后的坯体在180℃以下进行干燥,制得毛坯;对毛坯进行打磨、清洁预处理;在毛坯内表面喷涂0.2~0.7mm的氮化硅涂层;将喷有氮化硅涂层的毛坯在梭式窑炉中于1000~1300℃下烧结14~24小时。本发明较现有技术缩短了生产周期,简化了生产工艺,大大降低了能耗,提高了生产效率、成品率及企业的经济效益。
搜索关键词: 用于 多晶 铸锭 喷涂 熔融 石英 坩埚 制造 方法
【主权项】:
一种用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)将块状及粒状高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒,研磨后的料浆粒径为10μm~50μm;(2)将料浆充分搅拌后,再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀,然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型,脱模;(3)脱模后的坯体在180℃以下进行干燥,制得毛坯;(4)对毛坯进行打磨、清洁预处理;(5)在毛坯内表面喷涂0.2~0.7mm的氮化硅涂层;(6)将喷有氮化硅涂层的毛坯在梭式窑炉中于1000~1300℃下烧结14~24小时。
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