[发明专利]发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装有效
申请号: | 201110119375.6 | 申请日: | 2011-05-04 |
公开(公告)号: | CN102263119A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 郑畴溶 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/48 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种发光器件阵列、用于制造发光器件阵列的方法以及发光器件封装。该发光器件阵列包括:第一支撑构件;被布置在第一支撑构件上的至少两个结合层;第二支撑构件,该第二支撑构件被布置在至少两个结合层中的每一个上;发光结构,该发光结构被布置在第二支撑构件上,发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层;以及第一电极,该第一电极被布置在发光结构上。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 阵列 及其 制造 方法 以及 封装 | ||
【主权项】:
一种发光器件阵列,包括:第一支撑构件;至少两个结合层,所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上;第二支撑构件,所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上;发光结构,所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层;以及第一电极,所述第一电极被布置在所述发光结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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