[发明专利]具有芯片外控制器的存储器装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110119512.6 申请日: 2011-05-06
公开(公告)号: CN102768995A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 陈士弘;吕函庭;谢光宇 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/98 分类号: H01L21/98;H01L21/768;H01L25/065;G11C11/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种集成电路存储器装置及其制造方法,适用于低成本的工艺,该装置包括一存储器电路以及一外围电路。装置的存储器电路以及外围电路是实现于叠层结构的不同层。存储器电路层以及外围电路层包括互补的互连表面,通过存储器电路以及外围电路彼此互补的互连表面的匹配,可以建立电性互连。存储器电路层以及外围电路层可以在不同的生产线上,使用不同的工艺方式,分别地形成于不同的衬底上。如此的制造方式,使得存储器电路层以及外围电路层得以分别使用独立的工艺设备技术来制造,一种工艺技术用于存储器阵列的制造,另一种工艺技术则用于外围电路的制造。这些独立的电路可接着被叠层并接合在一起。
搜索关键词: 具有 芯片 控制器 存储器 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种存储器装置的制造方法,包括:形成一存储器电路,该存储器电路包括多个存储单元,该存储器电路具有一第一互连表面,该第一互连表面具有一第一组互连位置,该第一组互连位置的多个互连位置被电性耦接至该多个存储单元中相对应的存储单元;形成一外围电路,该外围电路提供用以操作该存储器电路的控制信号,该外围电路具有一第二互连表面,该第二互连表面具有一第二组互连位置;以及连接该存储器电路的该第一互连表面至该外围电路的该第二互连表面。
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