[发明专利]具有芯片外控制器的存储器装置及其制造方法有效
申请号: | 201110119512.6 | 申请日: | 2011-05-06 |
公开(公告)号: | CN102768995A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 陈士弘;吕函庭;谢光宇 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L21/768;H01L25/065;G11C11/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成电路存储器装置及其制造方法,适用于低成本的工艺,该装置包括一存储器电路以及一外围电路。装置的存储器电路以及外围电路是实现于叠层结构的不同层。存储器电路层以及外围电路层包括互补的互连表面,通过存储器电路以及外围电路彼此互补的互连表面的匹配,可以建立电性互连。存储器电路层以及外围电路层可以在不同的生产线上,使用不同的工艺方式,分别地形成于不同的衬底上。如此的制造方式,使得存储器电路层以及外围电路层得以分别使用独立的工艺设备技术来制造,一种工艺技术用于存储器阵列的制造,另一种工艺技术则用于外围电路的制造。这些独立的电路可接着被叠层并接合在一起。 | ||
搜索关键词: | 具有 芯片 控制器 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种存储器装置的制造方法,包括:形成一存储器电路,该存储器电路包括多个存储单元,该存储器电路具有一第一互连表面,该第一互连表面具有一第一组互连位置,该第一组互连位置的多个互连位置被电性耦接至该多个存储单元中相对应的存储单元;形成一外围电路,该外围电路提供用以操作该存储器电路的控制信号,该外围电路具有一第二互连表面,该第二互连表面具有一第二组互连位置;以及连接该存储器电路的该第一互连表面至该外围电路的该第二互连表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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