[发明专利]基于多晶硅的超材料制备方法和基于多晶硅的超材料无效
| 申请号： | 201110121343.X | 申请日： | 2011-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102776566A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;杨宗荣;缪锡根 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;H01Q15/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于多晶硅的超材料制备方法，该方法包括：对硅衬底进行氧化，获得二氧化硅绝缘层；在所述二氧化硅绝缘层上淀积一层多晶硅；在所述多晶硅上涂覆一层光刻胶，根据预设的微阵列结构对所述光刻胶进行光刻；将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述多晶硅上；去除涂覆在所述多晶硅上的光刻胶，得到具有所述微阵列结构的超材料。本发明实施例还提供了一种基于多晶硅的超材料。以得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多晶 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于多晶硅的超材料制备方法，其特征在于，所述方法包括：对硅衬底进行氧化，获得二氧化硅绝缘层；在所述二氧化硅绝缘层上淀积一层多晶硅；在所述多晶硅上涂覆一层光刻胶，根据预设的微阵列结构对所述光刻胶进行光刻；将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述多晶硅上；去除涂覆在所述多晶硅上的光刻胶，得到具有所述微阵列结构的超材料。
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