[发明专利]一种太阳能级多晶晶砖表面处理方法无效
| 申请号： | 201110121543.5 | 申请日： | 2011-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102776572A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 唐威;包剑;赵学军 | 申请（专利权）人： | 镇江荣德新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;孙丽梅 |
| 地址： | 212200 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能级多晶晶砖表面处理方法，依次进行如下步骤：步骤A：对多晶晶砖表面进行机械研磨处理；步骤B：将研磨后的所述多晶晶砖放入碱性腐蚀剂中进行腐蚀，去除所述多晶晶砖表面的损伤层；步骤C：用酸与所述多晶晶砖表面残留的碱以及生成的硅酸盐进行反应；步骤D：对所述多晶晶砖进行清洗和烘干。采用本发明提供的多晶晶砖表面处理方法对经线锯切割生成的多晶晶砖表面进行处理，不仅通过机械研磨消除了切割留下的线痕，而且通过碱腐蚀除去了多晶晶砖表面的损伤层，减少了多晶晶砖切片后生成的硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 多晶 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能级多晶晶砖表面处理方法，其特征在于，依次进行如下步骤：步骤A：对多晶晶砖表面进行机械研磨处理；步骤B：将研磨后的所述多晶晶砖放入碱性腐蚀剂中进行腐蚀，去除所述多晶晶砖表面的损伤层；步骤C：用酸与所述多晶晶砖表面残留的碱以及生成的硅酸盐进行反应；步骤D：对所述多晶晶砖进行清洗和烘干。
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