[发明专利]集成电路钝化层的制造方法及结构无效
| 申请号： | 201110123638.0 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412165A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 周军;傅昶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/314;H01L23/28;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路钝化层的制造方法，其中，在包含有大量半导体器件的硅片上覆盖一钝化层；之后在钝化层中进行离子注入，以在钝化层中形成一层非晶层。本发明集成电路钝化层的制造方法及结构解决了现有技术中芯片良品率低的问题，通过离子注入将生长的二氧化硅层部分非晶化，使得一次性形成多层钝化层，从而阻断了水气等的通过路径，进而提升了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 钝化 制造 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路钝化层的制造方法，其特征在于，在包含有大量半导体器件的硅片上覆盖一钝化层；之后在钝化层中进行离子注入，以在钝化层中形成一层非晶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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