[发明专利]一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201110125904.3 | 申请日： | 2011-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102145893A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;战丽姝;邹瑞洵;郭校亮 | 申请（专利权）人： | 大连隆田科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 于忠晶 |
| 地址： | 116025 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法，首先备料：将洗净烘干后的硅料置于电子束熔炼炉中；再预处理：对坩锅水冷、电子枪预热；最后提纯：采用以200-300mA的小束流电子束熔化并熔炼一段时间，然后降低束流为零，待硅锭完全变暗，硅蒸气回凝入熔池后，再次以200-300mA的小束流熔炼多晶硅一段时间后停止束流，重复小束流熔炼和停止束流的操作多次，最后冷却凝固即可得到磷含量很低的多晶硅锭。本发明的显著效果是采用了电子束分次熔炼的技术，一方面降低硅的蒸发损失量，此方法提纯效果好，技术稳定，工艺简单，节能降耗，周期短，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 熔炼 提纯 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法，其特征是：首先备料：将洗净烘干后的硅料置于电子束熔炼炉中；再预处理：对坩锅水冷、电子枪预热；最后提纯：采用以200‑300mA的小束流电子束熔化并熔炼一段时间，然后降低束流为零，待硅锭完全变暗，硅蒸气回凝入熔池后，再次以200‑300mA的小束流熔炼多晶硅一段时间后停止束流，重复小束流熔炼和停止束流的操作多次，最后冷却凝固即可得到磷含量很低的多晶硅锭。
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