[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号： | 201110128938.8 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102790146A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 黄嘉宏;黄世晟;凃博闵;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光元件，其包括沿水平方向设置的基底、以及沿竖直方向由下而上依次叠设在基底上的第一型半导体层、发光层及第二型半导体层，该发光层局部覆盖第一型半导体层，该第一型半导体层未被发光层覆盖的区域设置有第一电极，该第一型半导体层包括位于第一电极下方的第一掺杂区、与第一掺杂区相邻设置的第二掺杂区、及与第二掺杂区相邻设置的第三掺杂区，该第二掺杂区、第三掺杂区沿远离第一电极的水平方向依次排列，该第二掺杂区将第一掺杂区与第三掺杂区隔离开，该第一掺杂区的掺杂浓度低于第二掺杂区，且第二掺杂区的掺杂浓度低于第三掺杂区。该种半导体发光元件具有电流密度分布均匀、发光效率佳的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其包括沿水平方向设置的基底、以及沿竖直方向由下而上依次叠设在基底上的第一型半导体层、发光层及第二型半导体层，该发光层局部覆盖第一型半导体层，该第一型半导体层未被发光层覆盖的区域设置有第一电极，其特征在于：该第一型半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区，该第一掺杂区位于第一电极下方，该第二掺杂区、第三掺杂区沿远离第一电极的水平方向依次排列，该第二掺杂区与第一掺杂区相邻设置，该第三掺杂区与第二掺杂区相邻设置、且该第二掺杂区将第一掺杂区与第三掺杂区隔离开，该第一掺杂区的掺杂浓度低于第二掺杂区，且第二掺杂区的掺杂浓度低于第三掺杂区。
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