[发明专利]有机存储器件、阵列及其制造方法无效
| 申请号： | 201110131034.0 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102790173A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 刘明;刘欣;姬濯宇;商立伟;谢常青;李冬梅;韩买兴;陈映平;王宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种有机存储器件，包括：衬底；衬底上的下电极；下电极上的第一有机薄膜、第一有机薄膜上的不连续的金属薄膜以及不连续的金属薄膜上的第二有机薄膜，其中，不连续的金属薄膜由岛状金属颗粒形成；第二有机薄膜上的上电极。通过在两层有机薄膜中间形成了不连续的金属薄膜，由于该金属薄膜由岛状金属颗粒形成，通过这些岛状金属颗粒来增强有机薄膜的电荷捕获能力，从而使不具备转变特性或转变特性不好的有机材料具有好的转变特性，从而提高存储器件的存储及数据保持功能。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 存储 器件 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机存储器件，其特征在于，包括：衬底；衬底上的下电极；下电极上的第一有机薄膜、第一有机薄膜上的不连续的金属薄膜以及不连续的金属薄膜上的第二有机薄膜，其中，不连续的金属薄膜由岛状金属颗粒形成；第二有机薄膜上的上电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110131034.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种攀登用头盔
- 下一篇：一种制备鲜榨苹果汁的系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
