[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110131053.3 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102789985A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底具有有源区，在衬底上方形成有第一层间电介质层，所述第一层间电介质层具有穿过所述第一层间电介质层的第一开口，以使有源区的部分表面露出；以填充材料填充所述第一开口，所述填充材料能够被相对于所述第一层间电介质层的材料选择性地去除；在第一层间电介质层上方形成第二层间电介质层，所述第二层间电介质层具有穿过所述第二层间电介质的第二开口，以使得基本露出相应的所述第一开口中的所述填充材料的上端部分；去除所述填充材料；以及以导电材料填充所述第一开口和所述第二开口，以形成接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底具有有源区，在衬底上方形成有第一层间电介质层，所述第一层间电介质层具有穿过所述第一层间电介质层的第一开口，以使有源区的部分表面露出；以填充材料填充所述第一开口，所述填充材料能够被相对于所述第一层间电介质层的材料选择性地去除；在第一层间电介质层上方形成第二层间电介质层，所述第二层间电介质层具有穿过所述第二层间电介质的第二开口，以使得基本露出相应的所述第一开口中的所述填充材料的上端部分；去除所述填充材料；以及以导电材料填充所述第一开口和所述第二开口，以形成接触件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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