[发明专利]半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺有效
| 申请号： | 201110134379.1 | 申请日： | 2011-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102181895A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王锋涛;林桂贤;苏月来;李南生;罗壮 | 申请（专利权）人： | 厦门永红科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/08 | 分类号： | C25D5/08;C25D5/02;C25D7/00 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 | 代理人： | 方惠春;戚东升 |
| 地址： | 361100 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体集成电路的引线框架一次性电镀工艺，将引线框架的各电镀单元区正对着镀头的各喷孔通电进行电镀作业，镀头内包含有喷射流道及回液流道，喷射流道的喷孔对应着引线框架的电镀单元中心区，电镀余液通过回液流道进行回收，且回液流道与喷射流道组成电镀回路一次性完成引线框架多排电镀作业。本发明工艺适用于多排化引线框架电镀作业，具有效率高、镀层均匀、电镀质量高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 引线 框架 一次 电镀 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于：将引线框架的各电镀单元区正对着镀头的各喷孔通电进行电镀作业，镀头内包含有喷射流道及回液流道，喷射流道的喷孔对应着引线框架的电镀单元中心区，电镀余液通过回液流道进行回收，且回液流道与喷射流道组成电镀回路一次性完成引线框架多排电镀作业。
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