[发明专利]具有二极管在存储串列中的三维阵列存储器架构有效
| 申请号： | 201110135848.1 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102789807A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 洪俊雄;罗棋 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有二极管在存储串列中的三维阵列存储器架构。本发明所描述的不同的实施例中是解决在例如是三维垂直栅极闪存与多阶存储单元存储器的不同存储器架构中源极端感测所遭遇的许多困难。一个困难例如是，源极端感测到的信号大小是远小于漏极端感测到的信号大小。而另一个困难是与多阶存储单元存储器相关的减少感测边界与噪声。在某些实施例中，在施加读取调整偏压之前位线被选择性地放电。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 二极管 存储 串列 中的 三维 阵列 存储器 架构 | ||
【主权项】：
一种操作存储装置的方法，其特征在于，包含：响应一第二读取操作而在一与一位线耦接的第二存储单元执行一读取操作，该第二读取操作是在一与该位线耦接的第一存储单元执行该读取操作之后进行，是执行：施加一读取偏压至该第二存储单元而不需要在施加该读取偏压之前对该位线放电。
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