[发明专利]一种III-V族半导体MOS界面结构无效
| 申请号： | 201110138043.2 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102244094A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;常虎东;孙兵;卢力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种III-V族半导体MOS界面结构，包括：单晶衬底(101)；在单晶衬底(101)上表面形成的缓冲层(102)；在缓冲层(102)上形成的量子阱底部势垒层(103)；在量子阱底部势垒层(103)上形成的高迁移率量子阱沟道(104)；在高迁移率量子阱沟道(104)上形成的磷化镓界面控制层(105)；在磷化镓界面控制层(105)上形成的高K栅介质(106)；以及在该高K栅介质(106)上形成的金属栅结构(107)。本发明以磷化镓为界面控制层的MOS界面结构，同时实现了高载流子迁移率与低界面态密度，满足了高性能III-V族半导体CMOS技术的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 半导体 mos 界面 结构 | ||
【主权项】：
一种III‑V族半导体MOS界面结构，其特征在于，包括：单晶衬底(101)；在单晶衬底(101)上形成的缓冲层(102)；在缓冲层(102)上形成的量子阱底部势垒层(103)；在量子阱底部势垒层(103)上形成的高迁移率量子阱沟道(104)；在高迁移率量子阱沟道(104)上形成的磷化镓界面控制层(105)；在磷化镓界面控制层(105)上形成的高K栅介质(106)；以及在该高K栅介质(106)上形成的金属栅结构(107)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110138043.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
