[发明专利]PMOS管的制作方法

摘要

本发明公开了一种PMOS管的制作方法，在半导体衬底表面形成凸起结构的第一硬掩膜层，采用外延生长工艺在第一硬掩膜层两侧的半导体衬底之上分别生长漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层，接着在漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层之上形成第二硬掩膜层，去除第一硬掩膜层后，所形成的开口暴露出半导体衬底，然后采用外延生长工艺在暴露出的半导体衬底之上生长新的半导体衬底，在新的半导体衬底之上形成第一侧壁层和栅极结构。采用本发明公开的方法，能够降低PMOS管的漏电流。

主权项

一种PMOS管的制作方法，该方法包括：在半导体衬底表面形成第一硬掩膜层，并对第一硬掩膜层进行刻蚀，刻蚀后的第一硬掩膜层为位于半导体衬底之上的凸起结构；采用外延生长工艺在刻蚀后的第一硬掩膜层两侧的半导体衬底之上分别生长漏极锗化硅SiGe外延层和源极SiGe外延层，且所述漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层的上表面低于所述第一硬掩膜层的上表面；在所述漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层之上形成第二硬掩膜层，且所述第二硬掩膜层的上表面与所述第一硬掩膜层的上表面高度相同；去除第一硬掩膜层后，所形成的开口暴露出半导体衬底；采用外延生长工艺在暴露出的半导体衬底之上生长新的半导体衬底，且新的半导体衬底的上表面小于或等于漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层的上表面的高度；在所述漏极SiGe外延层、源极SiGe外延层、保护层和第二硬掩膜层围绕而成的沟槽的内壁形成第一侧壁层，在所述沟槽内形成栅极结构。