[发明专利]功率用半导体装置

摘要

本发明得到一种可以降低耗电功率的功率用半导体装置。功率用半导体装置利用高耐压二极管DB对电容器CB充电，以得到高侧驱动电路(10a)的驱动电压，高耐压二极管DB具有：P-型半导体衬底(12)；N型负极区域(14)，设在P-型半导体衬底(12)的表面；P型正极区域(16)，设在N型负极区域(14)内；P+型接触区域(20)和N+型接触区域(22)，设在P型正极区域(16)内；负极电极(24)，连接于N型负极区域(14)；以及正极电极(26)，连接于P+型接触区域(20)和N+型接触区域(22)。

主权项

一种功率用半导体装置，其特征在于，包括：高侧开关元件及低侧开关元件，在高压侧电位与低压侧电位之间从高压侧依次图腾柱连接；高侧驱动电路，驱动所述高侧开关元件；低侧驱动电路，驱动所述低侧开关元件；电容器，一端连接于所述高侧开关元件与所述低侧开关元件的连接点，另一端连接于所述高侧驱动电路的电源端子，向所述高侧驱动电路供给驱动电压；以及二极管，正极连接于电源，负极连接于所述电容器的所述另一端，将来自所述电源的电流供给至所述电容器的所述另一端，所述二极管具有：P型半导体衬底；N型负极区域，设在所述P型半导体衬底的表面；P型正极区域，设在所述N型负极区域内；P型接触区域及N型接触区域，设在所述P型正极区域内；负极电极，连接于所述N型负极区域；以及正极电极，连接于所述P型接触区域及所述N型接触区域。